J. App. Phys.に論文掲載

Journal of Applied Physics誌上に高温超伝導体からのテラヘルツ発振に関する研究成果を発表しました。

Temperature dependence of terahertz emission by an asymmetric intrinsic Josephson junction device 
J. Appl. Phys. 117, 043914 (2015); http://dx.doi.org/10.1063/1.4906849
高温超伝導テラヘルツ光源において温度やバイアス電流による発振周波数のチューニングのメカニズムを解明しました。構造および発振条件の異なる3種類のデバイスを作成し、それぞれに特徴的な温度依存性を発見しました。超伝導を特徴付ける基礎的な物理量である磁場侵入長の温度依存性によって発振周波数の温度依存性が説明できることが示されました。